Voir aussi : la
jonction PN - la
diode à semi-conducteur - Le
spectre de la lumière blanche - Essais
d'une diode électroluminescente -
Quand elle est arrivée
sur le marché dans les années 1970 la diode LED
a été accueillie avec intérêt par les
radioamateurs qui en ont vue immédiattement les avantages
pour remplacer les voyants équipées d'ampoules à
incandescence ou au néon :
- très petites (diamètre 3 ou 5mm) et de taille
en rapport avec les appareils de plus en plus transistorisés
et miniaturisés
- très faible consommation, quelques milliampères,
alors que la moindre ampoule nécessitait une centaine de
milliampères
- prix abordable qui ne cessa de baisser dans les années
qui suivirent.
Historique
Phénomène analogue
et inverse de celui de la génération d'électricité
par des cellules photovoltaïque, le principe d'émission
de photons par un semi-conducteur (du carbure de silicium monocristallin
en cette occurrence) a été découvert en 1907
par un chercheur britannique, Henry Joseph Round, travaillant
dans la société Marconi. Dans les années
1920, le Russe Oleg Losev travailla sur ce phénomène
qui fut repris dans les années 1950 par un chercheur de
la RCA, Rubin Braunstein. Ce dernier découvrit l'émission
de lumière infrarouge par des diodes à l'arséniure
ou l'antimoniure de gallium mais ce n'est qu'en 1961 que Robert
Biard and Gary Pittman travaillant pour Texas Instruments déposèrent
un brevet pour ce qui était la première diode électroluminescente.
Les premiers composants facilement disponibles sur le marché
ont été des LED rouges et des LED vertes vers 1974.
Quelques temps plus tard apparaissaient les optocoupleurs et surtout
les afficheurs à sept segments qui permirent l'affichage
digital des informations. Les LED d'autres couleurs (orangé,
puis bleu et enfin blanc) ne furent disponibles que vingt ans
plus tard. Le remplacement des ampoules à incandescence
dans les applications domestiques ne s'est vraiment répandu
qu'à partir des années 2000 grâce à
l'aumentation de rendement, donc de puissance lumineuse, des LED.
Principe
Dans un cristal de silicium, les électrons peuvent relativement
facilement passer de la bande de conduction à la bande
de valence et réciproquement en sautant un fossé
étroit (le "gap"), une bande interdite. Pour
passer de la bande de valence à la bande de conduction,
d'un niveau d'énergie plus élevé, l'électron
aura besoin d'un coup de pouce, sous la forme d'une certaine quantité
d'énergie exprimée généralement en
électron-volt (eV). Par exemple, pour le silicium, l'énergie
nécessaire pour franchir le gap est de 1,11 eV à
la température de 20°C (302K). Cette énergie
peut provenir de l'augmentation de la température du cristal
ou bien de l'arrivée d'un photon d'énergie suffisante.
Inversement, un électron qui repasse de la bande de conduction
à la bande de valence peut provoquer l'émission
d'un photon. C'est ce phénomène d'électroluminescence
qui est exploité dans les diodes LED. La fréquence
de l'onde associée au photon, donc la couleur du rayon
lumineux, dépend de la quantité d'énergie
nécessaire à l'électron pour franchir le
gap et cette énergie dépend du matériau.
Exemple :
Bien que le problème ne soit pas si simple, on peut calculer
la longueur d'onde de la lumière émise par un matériau
électroluminescent possédant une énergie
de gap E de 2.7 eV
Sachant qu'un électronvolt correspond à 1,602.10-19
joules on va d'abord calculer l'énergie correspondant à
2,7 eV :
E = 2,7 x 1,602.10-19
E = 4,33.10-19 J
Un photon possédant cette énergie est associé
à une onde de fréquence n ("nu"
représentant la lettre grecque symbolisant la fréquence)
:
nu = E / h où h est la constante de Planck égale
à 6.6262E-34 J.s
nu = 4,33.10-19 / 6.6262E-34
nu = 653.1012 Hz ou 653 THz
Comme il est plus courant de parler de la longueur d'onde pour
un rayonnement lumineux, on convertit la fréquence ("lambda"
représentant la lettre grecque symbolisant la longueur
d'onde) :
lambda = c/nu où c représente la célérité
de la lumière
lambda = 300000000 / 653.1012
lambda = 459.10-9 m ou plus communément 459 nm (nanomètres)
On peut voir dans le tableau ci-dessous que la couleur du rayonnement
émis se situe entre le bleu et le violet.
Une formule plus simple permet un calcul plus rapide :
avec lambda en nanomètres et E en électronvolts
Les semi-conducteurs utilisés pour la fabrication des LED
sont généralement des matériaux résultant
de l'association de deux éléments simples comme
l'arséniure de gallium (GaAs), de trois comme l'arséniure-phosphure
de gallium (GaAsP) ou de quatre comme le phosphure d'aluminium-gallium-indium
(AlGaInP)... La nature du matériau, la composition des
alliages et le dopage déterminent la couleur de la lumière
émise.
La LED est une diode à jonction dont la zone où
se recombinent électrons et trous est conçue de
façon à permettre l'émission de la lumière
lorsqu'elle est parcourue par un courant dans le sens direct.
La tension de seuil présente aux bornes de la diode quand
elle émet de la lumière dépend du matériau,
de la température et de l'intensité du courant ;
une LED verte au phosphure de gallium présente une tension
de seuil de l'ordre de 2,5 V (1,5 à 3 volts).
Couleurs et matériaux
Le tableau suivant regroupe les principales caractéristiques
moyennes de quelques matériaux utilisés.
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A : rouge diamètre 3mm dans un support pour
CI B : rouge diamètre 5mm utilisée en voyant de face avant C : violette 5mm D : bicolore jaune et verte E : rectangulaire F : jaune 3mm G : blanche haute luminosité 5mm H : rouge 3mm |
Diode blanche à
haute luminosité A+ : anode K- : cathode repérée par un méplat dans la collerette F : fil de connexion de l'anode 4/100 de mm C : coupelle réflecteur de lumière L : forme bombée faisant office de loupe |
Schéma de branchement d'une LED | Connexions. | Protection contre les surtensions inverses. |